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方法包括：在第一再分布结构上方形成金属杆；将第一器件管芯附接至第一再分布结构，第一器件管芯包括嵌入在半导体衬底中的通孔；将金属杆和第一器件管芯密封在密封剂中，密封剂的第一顶面与半导体衬底的第二顶面齐平；使第二顶面凹进以暴露通孔；在通孔周围形...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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