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公开了用于确定由电子束用于套刻测量的一个或多个参数的系统、非暂态计算机可读介质和方法。在一些实施例中，该方法包括基于晶片叠层的多个特性和在晶片叠层上的多个特征处检测到的多个背散射电子(BSE)产率来确定晶片叠层的套刻测量的获取时间。该方法还...
该专利属于ASML荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASML荷兰有限公司授权不得商用。

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