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本公开提供了硅基锗铅红外发光二极管及其制备方法，涉及硅基光电技术领域。硅基锗铅红外发光二极管，包括：硅衬底，设置有N区和P区，所述N区和所述P区分别位于所述硅衬底表面的不同区域且之间存在间隔；锗铅纳米片，设置在所述N区和所述P区之间，并与所...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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