【技术实现步骤摘要】
本公开涉及硅基光电，更具体地，涉及硅基锗铅红外发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、随着光电子技术的迅速发展，硅基光电器件因其与成熟的互补金属氧化物半导体（complementary metal-oxide-semiconductor）工艺兼容而备受关注，这为集成光电子系统的微型化和成本效益带来了革命性的机遇。在这一背景下，寻找新型硅基直接带隙材料成为推动红外光源技术进步的关键。锗铅（gepb）合金因具有独特的光电性质，尤其是其带隙可调性（0-0.66ev）及高光学增益潜能，成为了硅基高效光源材料的理想候选。
2、传统上，锗锡（gesn）合金被广泛研究，但相比之下，gepb合金展示出更高的带隙调控效率和光学增益，仅需在ge中引入3.4%的pb即可实现直接带隙转变，这一特性使得gepb在红外发光二极管领域展现出巨大的应用潜力。红外波段，尤其是gepb发光所在的波段，对于生物传感、气体检测及环境监测等领域尤为重要，这些应用需要高灵敏度和特异性，而gepb材料的红外发光特性恰好满足这些需求。
3、尽管gepb合金拥有...
【技术保护点】
1.硅基锗铅红外发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅基锗铅红外发光二极管，其特征在于， 所述锗铅纳米片的长和宽均为1μm-5μm，高为20nm-50nm。
3.根据权利要求1所述的硅基锗铅红外发光二极管，其特征在于，所述硅衬底的晶向为（111）。
4.根据权利要求1所述的硅基锗铅红外发光二极管，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为200nm-500nm。
5.一种权利要求1-4任一项所述的硅基锗铅红外发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的硅基锗铅红外发光二极管的制...
【技术特征摘要】
1.硅基锗铅红外发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅基锗铅红外发光二极管，其特征在于， 所述锗铅纳米片的长和宽均为1μm-5μm，高为20nm-50nm。
3.根据权利要求1所述的硅基锗铅红外发光二极管，其特征在于，所述硅衬底的晶向为（111）。
4.根据权利要求1所述的硅基锗铅红外发光二极管，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为200nm-500nm。
5.一种权利要求1-4任一项所述的硅基锗铅红外发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的硅基锗铅红外发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述硅衬底上形成n区，包括，在所述衬底上，形成n区离子注入窗口，将磷...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘香全，黄秦兴，郑军，崔金来，刘智，左玉华，成步文，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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