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本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制备方法，该瞬态电压抑制器包括衬底、第一和二阱区、第一和二掺杂区、第三和四掺杂区及第一和二电极，其中，第一阱区位于衬底上表层；第二阱区位于衬底下表层且与第一阱区间隔预设距离；第一和二掺杂区间隔设置于第一阱区上...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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