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本发明提供了一种3D结构的新型存储器及其制备方法。本发明通过在形成栅极结构工艺后，于有源区上直接形成存储单元，减少存储单元相关工艺热预算对前道制程器件的影响，减少前层对存储单元轮廓的影响；存储单元下电极直接与有源区连接，存储单元上电极和无存...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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