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揭露具有在栅极结构与栅极间隔物层之间的阻隔层的半导体装置及其制造方法。方法包含在基板上形成鳍式结构、在鳍式结构上形成多晶硅结构、执行氮化作业，以在多晶硅结构及鳍式结构上形成阻隔层、在阻隔层上形成栅极间隔物层、在鳍式结构形成漏极/源极区域中，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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