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一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底的第一区上形成第一栅极结构，在第一栅极结构上形成位线结构，在衬底上形成包括非晶硅的初步接触插塞层，在初步接触插塞层上形成反射层结构，从初步接触插塞层形成接触插塞层，并且在接触插塞层上形成电容器。反射层...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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