【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例涉及一种制造半导体器件的方法。更具体地，本公开的示例实施例涉及一种制造dram器件的方法。
技术介绍
1、在dram器件中，dram器件可以包括具有与dram器件的外围电路区中的结构不同的结构的单元区。随着特征尺寸减小并且集成度增加，正在开发制造具有优异性能的dram器件的研究，同时解决由于dram器件的集成而引起的问题。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种制造具有提高的电特性的半导体器件的方法。
2、根据本专利技术构思的示例实施例，一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底的第一区上形成第一栅极结构，该衬底包括第一区和第二区；在第一栅极结构上形成位线结构；在衬底上形成包括非晶硅的初步接触插塞层；在初步接触插塞层上形成反射层结构，该反射层结构包括具有第一折射率的第一反射层和具有第二折射率的第二反射层，第二折射率大于第一折射率，并且第二反射层的位于衬底的第一区上的部分的厚度不同于第二反射层的位于衬底的第二区上的部分的厚度；从初步接触插塞层形成接触插塞层，形成接...
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二反射层的位于所述衬底的所述第一区上的部分的厚度大于所述第二反射层的位于所述衬底的所述第二区上的部分的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述衬底的所述区部与所述衬底的所述第一区和所述衬底的所述第二区之间的所述边界间隔开300nm至400nm的范围内的距离。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二反射层的位于所述衬底的所述第一区上的部分的厚度小于所述第二反射层的位于所述衬底的所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二反射层的位于所述衬底的所述第一区上的部分的厚度大于所述第二反射层的位于所述衬底的所述第二区上的部分的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述衬底的所述区部与所述衬底的所述第一区和所述衬底的所述第二区之间的所述边界间隔开300nm至400nm的范围内的距离。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二反射层的位于所述衬底的所述第一区上的部分的厚度小于所述第二反射层的位于所述衬底的所述第二区上的部分的厚度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度分别具有约91nm、约97nm和约60nm的值。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二厚度具有在24nm至218nm的范围内的值。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵成根，黄水奂，金冈昱，金利桓，金池训，朴晋亨，申铉守，严泰民，郑盛旭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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