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本发明涉及到一种梯度Al组分AlGaN深紫外LED及其制备方法，属于半导体深紫外发光技术领域。解决了现有技术中AlGaN深紫外LED的内量子效率低的技术问题。本发明的梯度Al组分AlGaN深紫外LED，包括：衬底；在所述衬底上依次生长的固定...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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