一种梯度Al组分AlGaN深紫外LED及其制备方法技术

本发明专利技术涉及到一种梯度Al组分AlGaN深紫外LED及其制备方法，属于半导体深紫外发光技术领域。解决了现有技术中AlGaN深紫外LED的内量子效率低的技术问题。本发明专利技术的梯度Al组分AlGaN深紫外LED，包括：衬底；在所述衬底上依次生长的固定Al组分n‑AlGaN层、梯度Al组分n‑AlGaN层、GaN/AlGaN多量子阱层、p‑AlGaN层和p‑GaN层；固定在p‑GaN层上方的p型电极，p型电极区刻蚀至p‑GaN层；固定在固定Al组分n‑AlGaN层上方的n型电极，n型电极区刻蚀至固定Al组分n‑AlGaN层。该梯度Al组分AlGaN深紫外LED的梯度结构设计，增加了电子在量子阱中的俘获率，降低了空穴输运的有效势垒，从而提高了内量子效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体深紫外发光，具体涉及到一种梯度al组分algan深紫外led及其制备方法。

技术介绍

1、algan材料随着al组分变化有着3.4-6.2ev的带隙，覆盖了210nm-400nm的发光波长，是一种非常适合制作紫外光电子器件的半导体材料，在紫外发光方面有着巨大的应用前景，然而，深紫外algan基led的发展目前还存在着很大的困难，尤其是在250nm以下的远紫外波段，主要体现在随着发光波长降低而呈指数降低的电光转换效率和外量子效率。随着发光波长的降低意味着led量子阱的禁带宽度的增大，即algan材料的al组分的增加，然而随着al组分的变高会产生多种影响led内量子效率的问题：n/p型掺杂难度增加带来的载流子注入效率的下降，晶体的质量降低带来的非辐射复合概率的增加，强极化场带来的波函数交叠下降导致的辐射复合率下降，tm波发射比例增加带来的边发射降低光提取效率(lee)等。这些问题使得深紫外gan基led的电光转换效率、内外量子效率和光提取效率的严重下降，目前深紫外led的eqe在242nm时为10^(-2)；在234nm时为10^(-3)；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.梯度Al组分AlGaN深紫外LED，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的梯度Al组分AlGaN深紫外LED，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的梯度Al组分AlGaN深紫外LED，其特征在于，所述固定Al组分n-AlGaN层的Al组分为0.65-0.75。

4.根据权利要求1所述的梯度Al组分AlGaN深紫外LED，其特征在于，所述梯度Al组分n-AlGaN层的Al组分变化范围为0.65-1，梯度Al组分n-AlGaN层中最低Al组分与固定Al组分n-AlGaN层中的Al组分一致，且梯度Al组分n-AlGaN层中最低Al组分一侧与固定Al...

【技术特征摘要】

1.梯度al组分algan深紫外led，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的梯度al组分algan深紫外led，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的梯度al组分algan深紫外led，其特征在于，所述固定al组分n-algan层的al组分为0.65-0.75。

4.根据权利要求1所述的梯度al组分algan深紫外led，其特征在于，所述梯度al组分n-algan层的al组分变化范围为0.65-1，梯度al组分n-algan层中最低al组分与固定al组分n-algan层中的al组分一致，且梯度al组分n-algan层中最低al组分一侧与固定al组分n-algan层接触。

5.根据权利要求1所述的梯度al组分algan深紫外led，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎大兵，王贤君，蒋科，孙晓娟，吕顺鹏，张山丽，贲建伟，刘明睿，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：