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一种压力传感器、封装结构、制作方法以及电子设备技术
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文档序号:43290610
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本发明的实施例公开了一种压力传感器、封装结构、制作方法以及电子设备。其中压力传感器包括基底,基底包括力敏感膜和支撑体,支撑体包括应力缓冲区和连接区,力敏感膜位于支撑体的上表面的部分区域,在垂直于基底的厚度方向的平面上,应力缓冲区环绕力敏感膜...
该专利属于上海纳矽微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海纳矽微电子有限公司授权不得商用。
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