一种压力传感器、封装结构、制作方法以及电子设备技术

本发明专利技术的实施例公开了一种压力传感器、封装结构、制作方法以及电子设备。其中压力传感器包括基底，基底包括力敏感膜和支撑体，支撑体包括应力缓冲区和连接区，力敏感膜位于支撑体的上表面的部分区域，在垂直于基底的厚度方向的平面上，应力缓冲区环绕力敏感膜，连接区至少设置于应力缓冲区的一侧，并与应力缓冲区连接，基底还包括有背腔，背腔位于力敏感膜的下方。本申请公开的压力传感器，在封装时通过连接区与封装结构主体连接，应力缓冲区和力敏感膜悬空设置。当封装结构因外部因素产生应力时，应力缓冲区能够有效地分散和吸收外部应力，减小应力直接传递到力敏感膜的几率，从而保护力敏感膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装，特别涉及一种压力传感器、封装结构、制作方法以及电子设备。

技术介绍

1、压力传感器的基本工作原理是通过检测硅晶片上微小的机械变形来感知压力变化。这些变形会影响硅材料的电阻或电容特性，从而使压力变化转化为可测量的电信号。因此，压力传感器通常比较敏感，容易受到应力、机械振动、温度变化等外界因素的影响。温度变化会影响硅材料的电阻率和电容值，导致测量值偏离实际压力。应力或机械振动可能会改变硅膜的应力状态，从而影响其对压力变化的响应程度，导致灵敏度变化。且，压力传感器的感压区通常较薄，过大的机械应力和振动可能导致芯片的物理损伤或破裂。因此，封装压力传感器需要具备良好的保护性、绝缘性、热管理，以保护芯片不受外界环境的干扰和损害，同时保证其稳定可靠地运行。

技术实现思路

1、本专利技术的实施例提供一种压力传感器、封装结构以及电子设备。以改善外部应力对压力传感器的影响，提高芯片封装后的稳定性。

2、为了解决上述技术问题，本专利技术的实施例公开了如下技术方案：

<p>3、第一方面，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种压力传感器，其特征在于，包括基底(100)，所述基底(100)包括力敏感膜(102)和支撑体(103)，所述支撑体(103)包括应力缓冲区(1031)和连接区(1032)，所述力敏感膜(102)位于所述支撑体(103)的上表面的部分区域，在垂直于所述基底(100)的厚度方向的平面内，所述应力缓冲区(1031)环绕所述力敏感膜(102)，所述连接区(1032)至少设置于所述应力缓冲区(1031)的一侧，并与所述应力缓冲区(1031)连接；

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，在所述基底(100)的厚度方向上，所述应力缓冲区(1031)的厚度与所述连接区(10...

【技术特征摘要】

1.一种压力传感器，其特征在于，包括基底(100)，所述基底(100)包括力敏感膜(102)和支撑体(103)，所述支撑体(103)包括应力缓冲区(1031)和连接区(1032)，所述力敏感膜(102)位于所述支撑体(103)的上表面的部分区域，在垂直于所述基底(100)的厚度方向的平面内，所述应力缓冲区(1031)环绕所述力敏感膜(102)，所述连接区(1032)至少设置于所述应力缓冲区(1031)的一侧，并与所述应力缓冲区(1031)连接；

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，在所述基底(100)的厚度方向上，所述应力缓冲区(1031)的厚度与所述连接区(1032)的厚度相同或者不同。

3.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述连接区(1032)包括两个，两个所述连接区(1032)分别与所述应力缓冲区(1031)相对的两侧连接。

4.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述支撑体(103)还包括应力集中区(1033)，所述应力集中区(1033)位于所述连接区(1032)和所述应力缓冲区(1031)的连接面与所述支撑体(103)的上表面或下表面的交界处。

5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，还包括电连接点(105)，所述电连接点(105)位于所述连接区(1032)的上表面。

6.一种封装结构，其特征在于，包括封装结构主体(300)、封装凹槽(400)以及如权利要求1-5任一所述的压力传感器(200)，所述封装凹槽(400)位于所述封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘阳，于成奇，陈金金，李永飞，
申请(专利权)人：上海纳矽微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：