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本发明公开一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法，涉及晶体生长数值模拟技术领域，包括：建立晶体生长槽物理几何模型，对物理几何模型进行网格划分后，导入至Fluent仿真软件；基于用户自定义标量方程UDS，耦合流体湍流、能量方程，建...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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