【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长数值模拟，尤其涉及一种基于uds的kdp晶体表面过饱和度模拟计算方法。
技术介绍
1、目前磷酸二氢钾(化学式kh2po4，简称kdp)及其氘化物(化学式k(dxh1-x)2po4，简称dkdp)晶体作为性能良好的非线性和电光晶体，具有透过波段宽、透过率高、电光系数大、半波电压低以及光学均匀性好等方面的优点，被广泛应用于激光领域。惯性约束核聚变(inertial confinement fusion，简称icf)被认为是解决21世纪人类能源问题的重要途径之一，其中，强激光频率转换晶体是icf系统中高功率激光器的重要光学元件，大口径kdp晶体主要作为电光开关与倍频器件，大口径dkdp晶体主要作为三倍频器件，kdp/dkdp晶体因其优异的光学性能及易于生长大尺寸体块的特点，是目前唯一能应用于icf装置的非线性光学晶体。
2、通常，kdp晶体生长在水溶液中进行，生长机制为基于螺位错或二维核的台阶推移生长，生长系统中溶液的对流可以有效提高物质输运和晶体生长速率，但同时对晶体表面过饱和度均匀性及台阶形貌稳定性带来一...
【技术保护点】
1.一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法，其特征是，包括：
2.如权利要求1所述的基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法，其特征是，对物理几何模型进行网格划分，包括：
3.如权利要求2所述的基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法，其特征是，将KDP晶体生长槽物理几何模型的各个部分划分完成的网格合并，检查网格质量，并将网格划分后的KDP晶体生长槽物理几何模型导入至Fluent仿真软件，设定模型尺寸缩放，建立计算域网格交界面，检查网格体积是否正确。
4.如权利要求1所述的基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模...
【技术特征摘要】
1.一种基于uds的kdp晶体表面过饱和度模拟计算方法，其特征是，包括：
2.如权利要求1所述的基于uds的kdp晶体表面过饱和度模拟计算方法，其特征是，对物理几何模型进行网格划分，包括：
3.如权利要求2所述的基于uds的kdp晶体表面过饱和度模拟计算方法，其特征是，将kdp晶体生长槽物理几何模型的各个部分划分完成的网格合并，检查网格质量，并将网格划分后的kdp晶体生长槽物理几何模型导入至fluent仿真软件，设定模型尺寸缩放，建立计算域网格交界面，检查网格体积是否正确。
4.如权利要求1所述的基于uds的kdp晶体表面过饱和度模拟计算方法，其特征是，基于用户自定义标量方程uds，构建单相流溶液中溶质标量传输方程，为：
5.如权利要求1所述的基于uds的kdp晶体表面过饱和度模拟计算方法，其特征是，基于kdp晶体表面溶质反应边界条件，构建晶体表面溶质传输通量表达式，为：
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