温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，方法包括：提供衬底，衬底的顶面覆盖有介质层；形成间隔排布且沿靠近衬底的方向贯穿介质层并延伸至衬底内的多个沟槽经由所述多个沟槽横向去除部分介质层，得到暴露出部分衬底顶面的多个开口；形成覆盖介质...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。