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提供一种具有支撑层的DRAM装置，用于在被电极金属填充之前保持bWL特征。支撑层使结构从顶表面得到支撑，但不阻止间隙填充。首先将暂时间隙填充材料沉积在bWL间隙中，随后使暂时间隙填充材料凹陷以暴露顶部边缘。随后通过等离子体增强化学气相沉积(...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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