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公开了具有均匀的氧化物的基于纳米带的晶体管。本文中描述的是在半导体纳米带沟道周围具有非常均匀的氧化物层的基于纳米带的晶体管、以及用于生长氧化物层的高压蒸汽工艺。高压蒸汽工艺是一种自限性工艺，其产生比标准的沉积或注入方法更均匀的氧化物。均匀性...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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