具有均匀的氧化物的基于纳米带的晶体管制造技术

公开了具有均匀的氧化物的基于纳米带的晶体管。本文中描述的是在半导体纳米带沟道周围具有非常均匀的氧化物层的基于纳米带的晶体管、以及用于生长氧化物层的高压蒸汽工艺。高压蒸汽工艺是一种自限性工艺，其产生比标准的沉积或注入方法更均匀的氧化物。均匀性使得能够更好地控制氧化物厚度，且改进击穿电压和驱动电流。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般涉及集成电路(ic)结构和装置的领域，并且更具体地，涉及具有均匀的氧化物的基于纳米带的晶体管以及用于在纳米带的堆叠体周围产生均匀的氧化物层的高压蒸汽工艺。

技术介绍

1、全环绕栅极(gaa)晶体管，也被称为围绕栅极晶体管，具有在所有侧面围绕沟道区域的栅极材料。gaa晶体管可以是基于纳米带的或基于纳米线的，并且其也可以被称为纳米带晶体管或纳米线晶体管。在纳米带晶体管中，可以在被称为“纳米带”的细长半导体结构的一部分周围提供可以包括一种或多种栅极电极材料以及栅极电介质的栅极堆叠体，从而在纳米带的所有侧面上形成栅极堆叠体。在栅极堆叠体的任一侧上，可以在纳米带的相对端上提供源极区域和漏极区域，从而分别形成这样的晶体管的源极和漏极。基于非平面架构的其他晶体管包括鳍状物形状的晶体管装置，也被称为finfet。

2、在一些纳米带装置制造工艺中，从周围的支撑材料中释放半导体纳米带，并且在半导体纳米带周围重新生长栅极堆叠体，以形成栅极。栅极堆叠体包括由导电栅极电极围绕的一个或多个电介质层。典型地，用于形成栅极电介质的氧化物生长工艺被调节到特定的深宽比，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路(IC)装置，包括：

2.根据权利要求1所述的IC装置，其中，所述第一细长结构的基底距所述支撑结构的上表面第一距离，并且所述第二细长结构的基底距所述支撑结构的所述上表面第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。

3.根据权利要求1所述的IC装置，还包括第三细长结构，所述第三细长结构位于所述第二细长结构之上，所述第三细长结构在所述第一方向上延伸，并且所述第三细长结构具有第三氧化物层，所述第三氧化物层具有第三厚度，其中，所述第三厚度处于所述第二厚度的1％以内。

4.根据权利要求1所述的IC装置，其中，所述第一细长结构包括硅，并且所述第二细长结...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路(ic)装置，包括：

2.根据权利要求1所述的ic装置，其中，所述第一细长结构的基底距所述支撑结构的上表面第一距离，并且所述第二细长结构的基底距所述支撑结构的所述上表面第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。

3.根据权利要求1所述的ic装置，还包括第三细长结构，所述第三细长结构位于所述第二细长结构之上，所述第三细长结构在所述第一方向上延伸，并且所述第三细长结构具有第三氧化物层，所述第三氧化物层具有第三厚度，其中，所述第三厚度处于所述第二厚度的1％以内。

4.根据权利要求1所述的ic装置，其中，所述第一细长结构包括硅，并且所述第二细长结构包括硅。

5.根据权利要求1所述的ic装置，其中，所述第一氧化物层包括硅和氧，并且所述第二氧化物层包括硅和氧。

6.根据权利要求1-5中的任何一项所述的ic装置，其中，在穿过所述第一细长结构和所述第二细长结构的垂直于所述第一方向的横截面中，所述第一氧化物层包围所述第一细长结构，并且所述第二氧化物层包围所述第二细长结构。

7.根据权利要求1-5中的任何一项所述的ic装置，其中，所述第一厚度是所述第一氧化物层的位于所述第一细长结构的顶部之上的一部分的厚度，并且所述第一氧化物层的位于所述第一细长结构之下的另一部分具有第三厚度，所述第三厚度处于所述第一厚度的1％以内。

8.根据权利要求1-5中的任何一项所述的ic装置，其中，所述第一厚度是所述第一氧化物层的位于所述第一细长结构的顶部之上的一部分的厚度，并且所述第一氧化物层的位于所述第一细长结构的一侧处的另一部分具有第三厚度，所述第三厚度处于所述第一厚度的1％以内。

9.一种晶体管装置，包括：

10.根据权利要求9所...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·古普塔，R·赵，J·P·古普塔，A·基拉姆帕利，B·古哈，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：