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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：具有相对的第一面和第二面的第一晶圆，第一晶圆包括第一栅极、第一源极和第一漏极，第一栅极的顶面与第一面齐平，第一栅极的顶面高于第一源极的顶面，第一漏极位于第一栅...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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