一种半导体结构及其制作方法技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：具有相对的第一面和第二面的第一晶圆，第一晶圆包括第一栅极、第一源极和第一漏极，第一栅极的顶面与第一面齐平，第一栅极的顶面高于第一源极的顶面，第一漏极位于第一栅极靠近第二面的一侧；具有相对的第三面和第四面的第二晶圆，第四面与第一面正对且相键合，第二晶圆包括第二栅极、第二源极和第二漏极，第二源极更靠近第三面，第二栅极的顶面低于第二源极的底面，第二漏极与第一栅极电连接。可以提供一种新的2T0C的半导体结构。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制作方法。

技术介绍

1、随着半导体市场需求的不断增长，半导体存储器技术迅速发展，特别是动态随机存储器dram(dynamic random access memory)在存储器市场中，占据了最为主要的位置。常见的dram单元由一个晶体管(transistor)和一个电容器(capacitor)构成1t1c结构，为了提高单元性能并缩小单元面积，需要在单位面积上制备大电容值的电容器。

2、随着对dram单元的存储性能和单元尺寸提出越来越高的要求，给1t1c单元带来了严峻的挑战。研究表明，晶体管在一定的尺寸以及适当的掺杂剂下，也可以在不需要任何电容的情况下容纳少量的电荷，因为，晶体管的栅极是一个天然的电容。通过形成2t0c嵌入式dram结构，制作出两个晶体管且没有电容的结构，因此有必要提供一种新的2t0c的半导体结构。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种半导体结构，至少可以提供一种新的2t0c的半导体结构。

2、根据本公开一些实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极包括：第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分远离所述第二面的顶面，所述第一部分远离所述第二面的顶面与所述第一面齐平，在垂直于所述第一面指向第二面的方向上，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分的宽度为所述第二部分宽度的1.5～2.5倍。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，第一晶圆还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶圆还包括...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极包括：第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分远离所述第二面的顶面，所述第一部分远离所述第二面的顶面与所述第一面齐平，在垂直于所述第一面指向第二面的方向上，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分的宽度为所述第二部分宽度的1.5～2.5倍。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，第一晶圆还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶圆还包括：

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟道层的材料包括：铟镓锌氧化物。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二晶圆还包括：

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二晶圆还包括：导电通孔，所述导电通孔位于所述第二字线与所述第二栅极之间，以将所述第二字线与所述第二栅极电连接。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二晶圆还包括：

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二沟道层的底面与所述第二漏极的顶面之间的高度差为5-10nm。

11.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓阳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：