温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种碳化硅沟槽刻蚀方法，涉及半导体器件制造技术领域，以解决微沟槽结构导致碳化硅器件耐压能力下降、可靠性降低的问题。所述碳化硅沟槽刻蚀方法包括在SiC衬底上刻蚀形成第一SiC沟槽，第一SiC沟槽的底部具有微沟槽结构；对第一SiC沟槽...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。