【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造，尤其涉及一种碳化硅沟槽刻蚀方法。
技术介绍
1、sic(碳化硅)材料具有禁带宽度大、击穿场强高、介电常数小等优点，在制备高温、高频、大功率、抗辐射的半导体器件及紫外光电探测器等方面具有极其广泛的应用，被誉为前景十分广阔的第三代半导体材料。在碳化硅器件制造领域中，对sic材料进行刻蚀是必要的步骤，使用干法刻蚀是一种非常有效的刻蚀方法。
2、通常，sic衬底上需要采用干法刻蚀工艺形成一定深度的沟槽结构，而采用干法刻蚀工艺时，沟槽的底部和侧壁的拐角处容易形成微沟槽结构，微沟槽结构容易引发电荷集中，造成局部电场强度增大，导致碳化硅器件耐压能力下降、可靠性降低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种碳化硅沟槽刻蚀方法，以去除沟槽内的微沟槽结构，提高碳化硅器件的耐压能力和可靠性。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供一种碳化硅沟槽刻蚀方法，包括：
3、在sic衬底上刻蚀形成第一sic沟槽，第一sic沟槽的底部具有微沟槽结构；<...
【技术保护点】
1.一种碳化硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述第二SiC沟槽为锥形槽，所述锥形槽上远离所述第一SiC沟槽的一端为尖角结构，所述尖角结构位于所述第一SiC沟槽的中心线上。
3.根据权利要求2所述的碳化硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，在所述对所述第一SiC沟槽的底部进行刻蚀，形成第二SiC沟槽，以消除所述微沟槽结构的步骤之后，还包括：
4.根据权利要求3所述的碳化硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述后处理工艺包括注入激活工艺和/或牺牲氧化工艺。
5.根据权利要求1所述的碳...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述第二sic沟槽为锥形槽，所述锥形槽上远离所述第一sic沟槽的一端为尖角结构，所述尖角结构位于所述第一sic沟槽的中心线上。
3.根据权利要求2所述的碳化硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，在所述对所述第一sic沟槽的底部进行刻蚀，形成第二sic沟槽，以消除所述微沟槽结构的步骤之后，还包括：
4.根据权利要求3所述的碳化硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述后处理工艺包括注入激活工艺和/或牺牲氧化工艺。
5.根据权利要求1所述的碳化硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述在sic衬底上刻蚀形成第一sic沟槽，所述第一sic沟槽的底部具有微沟槽结构的步骤具体包括：
6.根据权利要求5所述的碳化硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为镍、铝、...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨成樾，蒋文静，刘新宇，王臻星，张润泽，汤益丹，白云，田晓丽，郝继龙，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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