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本发明涉及芯片测试结构技术领域，特别涉及一种新型射频芯片测试结构、制备方法及其应用，包括衬底、金属层及钝化层；金属层至少设置一层，厚度为1‑5um；钝化层形成于每层所述金属层上，钝化层与金属层对齐的局部区域经剥离或刻蚀形成留有缺口，使相邻金...
该专利属于阿尔伯达（苏州）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿尔伯达（苏州）科技有限公司授权不得商用。

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