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本发明涉及基于聚焦离子束加工周期性阵列结构增强铌酸锂晶体导电性的方法，该方法采用聚焦离子束刻蚀技术，利用离子束轰击对样品表面进行物理刻蚀，根据设计的版图制备周期性阵列，改变介电质晶体的晶格空间布局，重构能带结构，减小价带与导带之间的能隙，从...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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