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本发明提供一种能提高性能的半导体装置。半导体装置具备：基板(10)；第一FET，具备：第一源电极，设于基板上，电连接于第一基准电位并沿第一方向延伸；第一栅电极，设于基板上，电连接于输入端子并沿第一方向延伸；以及第一漏电极，设于基板上并沿第一...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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