半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能提高性能的半导体装置。半导体装置具备：基板(10)；第一FET，具备：第一源电极，设于基板上，电连接于第一基准电位并沿第一方向延伸；第一栅电极，设于基板上，电连接于输入端子并沿第一方向延伸；以及第一漏电极，设于基板上并沿第一方向延伸；第二FET，具备：第二源电极，设于基板上并沿第一方向延伸；第二栅电极，设于基板上并沿第一方向延伸；以及第二漏电极，设于基板上，电连接于输出端子并沿第一方向延伸，该第二栅电极与第一FET的排列方向为第一方向；第一布线，将第一漏电极与第二源电极电连接；以及电容器，设于第一FET与第二FET之间，其第一端电连接于第二栅电极，其第二端电连接于第二基准电位。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，例如涉及具有场效应型晶体管的半导体装置。

技术介绍

1、移动通信的基站中使用高频放大电路。作为高频放大电路，已知一种将源极接地的场效应型晶体管(fet：field effect transistor)与栅极接地的fet共源共栅连接的半导体装置(例如非专利文献1)。

2、现有技术文献

3、非专利文献

4、非专利文献1：proceeding of 2019 15th conference on ph.d research inmicroelectronics and electronics(prime),pp.165-168,ferdinando costanzo et al.“a ka-band doherty power amplifier using an innovative stacked-fet cell”

5、在高输出的放大电路中，并联连接了fet来高输出化。但是，在共源共栅连接的放大电路中，若要并联连接fet，则fet不会一致地工作，放大电路的性能会劣化。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，

6.根据权利要求3或4所述的半导体装置，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

9.根据权利要求7所述的半导体装置，

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

5.根据权利要求3或4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊池宪，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：