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本公开涉及具有隔离结构的场效应晶体管及相关方法。一种方法包括：在衬底之上形成第一半导体沟道堆叠和第二半导体沟道堆叠；在第一堆叠和第二堆叠之上形成多个牺牲栅极；在形成多个牺牲栅极的同时，在过渡区域之上并邻近多个牺牲栅极形成条结构；在第一半导体...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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