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实施例是一种形成半导体结构的方法，包括在第一衬底上方形成第一介电层，第一介电层中具有第一金属化图案。该方法还包括在第一介电层和第一金属化图案上方形成第二介电层。该方法还包括在第二介电层上方形成牺牲焊盘并且牺牲焊盘延伸至第二介电层中，牺牲焊盘...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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