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本申请实施例提供了一种预清洗腔室、半导体工艺设备及清洗方法，其中，所述预清洗腔室包括：腔体、基座、等离子体生成装置和偏压调节装置；基座设于腔体内，基座用于承载待清洗件，等离子体生成装置用于在通有第一工艺气体的腔体内产生第一等离子体，在腔体内...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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