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本发明涉及保护膜形成用膜、使用了该保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置，上述保护膜形成用膜具有固化性，在23～150℃的温度范围的全部温度下的储能模量E’为1MPa以上、并且80℃下的储能模量E’(80)与1...
该专利属于琳得科株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过琳得科株式会社授权不得商用。

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