保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及保护膜形成用膜、使用了该保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置，上述保护膜形成用膜具有固化性，在23～150℃的温度范围的全部温度下的储能模量E’为1MPa以上、并且80℃下的储能模量E’(80)与130℃下的储能模量E’(130)之比[E’(80)/E’(130)]为1.25以上，上述保护膜形成用膜的固化物的铜箔剥离强度为3.0N/10mm以上，上述保护膜形成用膜满足要件(1)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置。

技术介绍

1、近年来，正在进行应用了被称为所谓倒装(face down)方式的安装方法的半导体装置的制造，所述倒装方式为在使电路面朝向基板侧的状态下将半导体芯片安装在基板上的方法。

2、在倒装方式中，为了将形成于半导体芯片的电路面的凸块等电极与基板接合，有时在半导体芯片的背面形成保护膜来避免成为半导体芯片的与电路面相反侧的背面露出的状态。

3、保护膜在半导体芯片的制造过程及半导体芯片的安装后发挥保护半导体芯片不受到外部冲击等的作用。另外，保护膜可用于基于激光打印的半导体芯片的识别、装饰等。此外，保护膜还能够作为防止电路的误动作的遮光层而发挥功能。

4、保护膜例如可使用保护膜形成用膜形成。作为保护膜形成用膜，从机械强度、耐热性等的观点考虑，使用了由具有热固性或能量射线固化性的树脂组合物构成的固化性的膜。通过将固化性的保护膜形成用膜在粘贴于半导体晶片、半导体芯片等保护对象物后进行固化，形成了由其固化物构成的保护膜。>

5、例如，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种保护膜形成用膜，其具有固化性，

2.根据权利要求1所述的保护膜形成用膜，其中，

3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，

4.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，

5.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，

6.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，

7.根据权利要求6所述的保护膜形成用膜，其中，

8.根据权利要求6所述的保护膜形成用膜，其中，

9.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其厚度为1～100μm。

10.根据权利要求1或2...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种保护膜形成用膜，其具有固化性，

2.根据权利要求1所述的保护膜形成用膜，其中，

3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，

4.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，

5.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，

6.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用膜，其中，

7.根据权利要求6所述的保护膜形成用膜，其中，

8.根据权利要求6所述的保护膜形成用膜，其中，

9.根据权利要求1或2所述的保...

【专利技术属性】
技术研发人员：上村和惠，渡边康贵，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：