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本申请提供了一种没有上电顺序约束的高耐压IO电路,包括由第一电源电压经第零PMOS管(M0)、第二NMOS管(M2)到接地电压形成的第一通路;由第二电源电压经第一PMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)到接地电压形成的第二通路;第零PMO...该专利属于京微齐力(北京)科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过京微齐力(北京)科技股份有限公司授权不得商用。
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