温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本技术涉及分离栅MOSFET器件的设计改进,具体为一种超高压低电容分离栅MOSFET器件结构,利用分离栅结构可以解决弥勒电容Crss比较大的问题,实现超高电压的分离栅器件结构;包括第一导电类型衬底,所述第一导电类型衬底上依次设有第一层第一导...该专利属于无锡祥瑞微电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡祥瑞微电子科技有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本技术涉及分离栅MOSFET器件的设计改进,具体为一种超高压低电容分离栅MOSFET器件结构,利用分离栅结构可以解决弥勒电容Crss比较大的问题,实现超高电压的分离栅器件结构;包括第一导电类型衬底,所述第一导电类型衬底上依次设有第一层第一导...