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本发明公开一种高压抗辐射加固ESD器件结构，属于半导体领域，在第一P型掺杂区内设置第三P型掺杂区，并与第二P型掺杂区相切，降低寄生三极管的基区电阻，防止寄生器件在单粒子辐射情况下提前开启，避免发生单粒子闩锁效应，同时还提高了器件的维持电压。...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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