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本公开涉及使用图案化基础结构制作基于纳米带的晶体管。公开了基于纳米带的晶体管和相关联的晶体管装置的制作方法、IC结构和设备。一种示例性制作方法基于对在上方提供超晶格的基础结构进行图案化，使得可以使用单个超晶格形成PMOS纳米带堆叠体和NMO...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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