【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、在过去的几十年内，集成电路(ic)结构中的特征缩小一直是持续增长的半导体产业背后的驱动力。缩小到越来越小的特征能够在半导体芯片的有限占用面积上实现功能单元的不断增大的密度。例如，缩小晶体管尺寸允许将增大数量的存储器或逻辑设备包含在芯片上，从而制作出具有增大容量的产品。然而，对不断增大的容量的驱动并非毫无问题。优化ic结构的每个部分的必要性变得越来越重要。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路(IC)结构，包括：
2.根据权利要求1所述的IC结构，其中，在投影到基本上垂直于所述支座并且基本上平行于所述第一堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的纵轴的平面上时，所述第一堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的投影位于所述第二堆叠体的一对最近邻的纳米带的投影之间。
3.根据权利要求1所述的IC结构，其中，基本上平行于所述支座并且沿所述第一堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的中间的平面基本上位于所述第二堆叠体的所述纳米带中的两个相邻纳米带之间的中间中。
4.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第一堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的厚度基本上等于所述第二堆叠体的所述纳米带中的两个相邻纳米带之间的距离。
5.根据权利要求4所述的IC结构，其中，所述第二堆叠体的所述纳米带中的至少一者的厚度基本上等于所述第一堆叠体的所述纳米带中的两个相邻纳米带之间的距离。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的IC结构，其中，所述第一堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的厚度不同于所述第二堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的厚
7.根据权利要求1-5中的任一项所述的IC结构，其中，所述第一堆叠体的所述纳米带中的每者的厚度小于所述第二堆叠体的所述纳米带中的每者的厚度。
8.根据权利要求1-5中的任一项所述的IC结构，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的IC结构，其中，所述第一绝缘体结构的高度基本上等于所述第二堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的厚度。
10.根据权利要求8所述的IC结构，其中，所述第二绝缘体结构的高度基本上等于所述第一堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的厚度。
11.根据权利要求1-5中的任一项所述的IC结构，进一步包括：
12.根据权利要求11所述的IC结构，其中，所述第一半导体材料包括硅，并且所述第二半导体材料包括锗。
13.一种集成电路(IC)结构，包括：
14.根据权利要求13所述的IC结构，其中，所述第一堆叠体的所述纳米带中的一者或多者的厚度基本上等于所述第二堆叠体的所述纳米带中的两个相邻纳米带之间的距离。
15.根据权利要求13所述的IC结构，其中，所述第二堆叠体的所述纳米带中的一者或多者的厚度基本上等于所述第二堆叠体的所述纳米带中的两个相邻纳米带之间的距离。
16.根据权利要求13-15中的任一项所述的IC结构，其中，在投影到基本上垂直于所述支座并且基本上平行于所述第一堆叠体的所述纳米带的纵轴的平面上时，所述第一堆叠体的所述纳米带中的个体纳米带的投影不与所述第二堆叠体的所有所述纳米带的投影重叠。
17.根据权利要求13-15中的任一项所述的IC结构，其中，所述第一堆叠体与所述第二堆叠体之间的距离小于大约500纳米。
18.一种制作集成电路(IC)结构的方法，所述方法包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中，利用所述第一鳍形成由所述第一半导体材料构成的纳米带包括去除所述第一鳍中的由所述第一半导体材料构成的层之间的所述第二半导体材料。
20.根据权利要求18-19中的任一项所述的方法，进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路(ic)结构，包括：
2.根据权利要求1所述的ic结构，其中，在投影到基本上垂直于所述支座并且基本上平行于所述第一堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的纵轴的平面上时，所述第一堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的投影位于所述第二堆叠体的一对最近邻的纳米带的投影之间。
3.根据权利要求1所述的ic结构，其中，基本上平行于所述支座并且沿所述第一堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的中间的平面基本上位于所述第二堆叠体的所述纳米带中的两个相邻纳米带之间的中间中。
4.根据权利要求1所述的ic结构，其中，所述第一堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的厚度基本上等于所述第二堆叠体的所述纳米带中的两个相邻纳米带之间的距离。
5.根据权利要求4所述的ic结构，其中，所述第二堆叠体的所述纳米带中的至少一者的厚度基本上等于所述第一堆叠体的所述纳米带中的两个相邻纳米带之间的距离。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的ic结构，其中，所述第一堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的厚度不同于所述第二堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的厚度。
7.根据权利要求1-5中的任一项所述的ic结构，其中，所述第一堆叠体的所述纳米带中的每者的厚度小于所述第二堆叠体的所述纳米带中的每者的厚度。
8.根据权利要求1-5中的任一项所述的ic结构，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的ic结构，其中，所述第一绝缘体结构的高度基本上等于所述第二堆叠体的所述纳米带中的所述至少一者的厚度。
10.根据权利要求8所...
【专利技术属性】
技术研发人员：CT·黄，褚涛，R·赵，许国伟，张凤，B·古哈，S·M·塞亚，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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