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本发明属于电子技术领域，提供了一种斯格明子复合薄膜体系及其应用。本发明提供的斯格明子复合薄膜体系包括依次层叠设置的源层、反铁磁层和斯格明子层；所述反铁磁层的材质为绝缘金属氧化物；所述反铁磁层的厚度为0.5nm~100μm。本发明的反铁磁层能...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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