【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子，尤其涉及一种斯格明子复合薄膜体系及其应用。
技术介绍
1、在数字化的浪潮中，硅元素在各类产品中的应用不断攀升，催生了通信、计算、医疗保健、军事系统、交通、清洁能源等领域的飞速进步。这些技术的发展为社会带来了前所未有的改变，包括类脑计算、虚拟现实、物联网、节能传感、自动化设备、机器人技术和人工智能等前沿技术的涌现。然而，随着应用范围的扩大，海量数据的存储和调用成为不可或缺的需求，而目前晶体管仍然是信息存储的基石。
2、尽管晶体管尺寸不断缩小，但其功耗却逐渐趋于饱和。随着晶体管数量的激增，能源消耗巨大，并且晶体管在高温下易损坏，这给整体功率带来了限制，形成了所谓的“功耗墙”。同时，传统的冯·诺伊曼架构下，存储与计算处于分离状态，而当前存储器的速度远远落后于处理器的速度，这意味着在海量数据频繁交换的情况下，存储器的速度成为整体速度的制约因素，形成了“存储墙”的现象。
3、近年来，磁性斯格明子备受瞩目，因其具备诸如拓扑保护、高速、高密度和优越的稳定性等出色特性。这些特性使其在未来高密度、低能耗、非易失...
【技术保护点】
1.一种斯格明子复合薄膜体系，其特征在于，包括依次层叠设置的源层、反铁磁层和斯格明子层；
2.根据权利要求1所述的斯格明子复合薄膜体系，其特征在于，所述源层的材质包括重金属、外尔半金属或拓扑绝缘体；
3.根据权利要求1或2所述的斯格明子复合薄膜体系，其特征在于，所述源层的厚度为0.5nm~1μm。
4.根据权利要求1所述的斯格明子复合薄膜体系，其特征在于，所述产生磁性斯格明子的多层膜包括依次层叠设置的重金属薄膜和磁性薄膜；所述重金属薄膜和磁性薄膜周期性层叠设置，周期数≥1；
5.根据权利要求4所述的斯格明子复合薄膜体系，...
【技术特征摘要】
1.一种斯格明子复合薄膜体系，其特征在于，包括依次层叠设置的源层、反铁磁层和斯格明子层；
2.根据权利要求1所述的斯格明子复合薄膜体系，其特征在于，所述源层的材质包括重金属、外尔半金属或拓扑绝缘体；
3.根据权利要求1或2所述的斯格明子复合薄膜体系，其特征在于，所述源层的厚度为0.5nm~1μm。
4.根据权利要求1所述的斯格明子复合薄膜体系，其特征在于，所述产生磁性斯格明子的多层膜包括依次层叠设置的重金属薄膜和磁性薄膜；所述重金属薄膜和磁性薄膜周期性层叠设置，周期数≥1；
5.根据权利要求4所述的斯...
【专利技术属性】
技术研发人员：王译，孟凡毓，宋东霖，李衍琨，张拓，张丽艳，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：
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