下载用于半导体制造的蚀刻方法的技术资料

文档序号:42686029

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种处理衬底的方法包括对介电层上的掩模进行图案化以及在该介电层中蚀刻开口。该介电层布置在该衬底上。该蚀刻包括使蚀刻剂、极性或含H气体和卤化磷气体流动。该方法可以进一步包括通过用导电材料填充这些开口来形成触点。...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。