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本发明公开了一种堆叠电容的储存电极结构及其制作方法。该堆叠电容的储存电极结构，包含有基底，其上设有导电区域；蚀刻停止层，覆盖该导电区域；导电层，穿过该蚀刻停止层，而与该导电区域电连接；环形的导电间隙壁，设于该导电层侧壁上，其中该导电间隙壁位...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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