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实施例包括用于形成集成电路封装件的方法。在晶圆上方沉积第一介电层，第一介电层与晶圆的封装区域和划线区域重叠。形成沿第一介电层延伸并且延伸穿过第一介电层的第一金属化图案。在第一金属化图案和第一介电层上方沉积第二介电层，第二介电层与封装区域和划...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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