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本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括衬底和形成在所述衬底内的位线结构；所述位线结构沿第一方向延伸且沿第二方向排布；在所述位线结构上形成字线结构和有源结构；所述有源结构沿所述衬底的厚度方向延伸，且所述有...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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