【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、为了提高存储装置的集成度，由垂直晶体管和垂直电容构成的垂直存储单元成为提高单位面积内存储单元数量的新技术。在垂直存储单元中，垂直晶体管的漏极、栅极和源极从下至上依次排布，电容位于晶体管上，电容的下极板通过存储接触结构(stock nodecontact，snc)与晶体管的源极连接。
2、然而，垂直存储单元中各结构的可靠性问题限制了存储装置集成度的进一步提高。因此，同时提高存储装置的集成度的和可靠性成为了目前亟待解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种。
2、为达到上述目的，本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：
4、提供基底，所述基底包括衬底和形成在所述衬底内的位线结构；所述位线结构沿第一方向延伸且沿第二方向排布；
5、在所述位线结...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，位于所述字线结构两侧的两排沿所述第三方向排布的所述有源结构共用该字线结构。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述位线结构上形成有源结构，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体柱在所述第四方向上的尺寸小于所述漏极在所述第四方向上的尺寸。
6.根据权利要求5所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，位于所述字线结构两侧的两排沿所述第三方向排布的所述有源结构共用该字线结构。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述位线结构上形成有源结构，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体柱在所述第四方向上的尺寸小于所述漏极在所述第四方向上的尺寸。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述位线结构上形成字线结构，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底，包括：
8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一方向与所述第三方向的夹角的角度范围为30度至60度。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓超文，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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