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本发明公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，半导体器件的外延结构包括衬底和阻挡层，其中，衬底包括多晶基体以及形成于多晶基体的至少一个表面的单晶活化层；阻挡层位于单晶活化层远离多晶基体的一侧，且与单晶活化层接触。本发明实施例...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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