【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件。
技术介绍
1、随着5g、新能源时代的来临，科技产品对于高频、高速运算、高速充电的需求上升，第三代半导体即使在高频状态下仍可以维持优异的性能和可靠性，同时尺寸更小，散热更好，可减小整体电路的体积，成为目前的主流研究方向。
2、常用的第三代半导体包括gan和sic。其中，gan因缺少同质衬底而只能在以蓝宝石衬底、硅衬底、sic衬底为代表的异质衬底上生长。由于gan与这些异质衬底的晶格常数，热膨胀系数等不一致，势必导致外延层中应力的产生，进而产生各类缺陷，使得gan的应用受到了限制。例如，在硅衬底上生长的gan因为应力过大，使得当gan厚度超过2μm后往往就会在表面出现裂纹状的表面缺陷，当厚度超过4μm时则容易导致裂片的结果。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，以提高外延结构的品质。
2、第一方面，本专利技术提供一种半导体器件的外延结构，包括
3、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的外延结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述单晶活化层全包围所述多晶基体，所述阻挡层全包围所述单晶活化层。
3.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述多晶基体的材料包括多晶氮化铝，多晶氮化镓，多晶铝镓氮、多晶铟镓氮、多晶铝铟镓氮、多晶磷化铟、多晶碳化硅中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述单晶活化层的厚度为2nm～50nm。
5.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括至少一层外延层；沿外延生长方向，所述至少一...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的外延结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述单晶活化层全包围所述多晶基体，所述阻挡层全包围所述单晶活化层。
3.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述多晶基体的材料包括多晶氮化铝，多晶氮化镓，多晶铝镓氮、多晶铟镓氮、多晶铝铟镓氮、多晶磷化铟、多晶碳化硅中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述单晶活化层的厚度为2nm～50nm。
5.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括至少一层外...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晖，李仕强，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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