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本发明公开了一种n‑GaAs/NiO异质结光电极材料及其制备方法与应用，属于光电极的技术领域。该光电极材料包括自下而上的背面电极、n‑GaAs和NiO。本发明通过对制备的光电极进行电化学改性，从而构建n‑GaAs/NiO异质结促进了光生空穴...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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