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一种三维非易失性存储器装置包括：多个绝缘层，其在衬底上在基本上垂直于衬底的表面的竖直方向上堆叠；多个沟道层，其位于多个绝缘层之间，并且在平行于衬底的表面的第一水平方向上延伸，其中，多个沟道层包括第一金属元素；扩散停止层，其共形地形成在沿竖直...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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