【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及非易失性存储器装置，并且更具体地，涉及包括三维地重复布置的多个存储器单元的三维非易失性存储器装置。
技术介绍
1、由于电子技术的发展，半导体装置的缩小已经迅速发展，并且期望半导体装置的高度集成以增大在电子装置中使用的半导体存储器装置的存储容量。例如，三维非易失性存储器装置已经被开发为具有即使当堆叠在三维非易失性存储器装置的衬底上竖直地重叠的存储器单元的数量增加时也能够确保存储器单元期望的可靠性的结构。
技术实现思路
1、根据本专利技术构思的实施例，一种三维非易失性存储器装置包括：多个绝缘层，其在衬底上在基本上垂直于衬底的主表面的竖直方向上堆叠；多个沟道层，其位于多个绝缘层之间，并且在与衬底的主表面平行的第一水平方向上延伸，其中，多个沟道层包括第一金属元素；扩散停止层，其共形地形成在沿竖直方向穿过多个绝缘层和多个沟道层的沟槽中；以及晶体半导体图案，其位于多个沟道层中的每一个与扩散停止层之间，其中，晶体半导体图案包括第二金属元素，其中，
2、晶体半导体图案中的第二金属元素的浓度高于多个沟道层中的第一金属元素的浓度。
3、根据本专利技术构思的实施例，一种三维非易失性存储器装置包括：第一单元阵列、第二单元阵列和第三单元阵列，第一单元阵列、第二单元阵列和第三单元阵列中的每一个包括多个绝缘层和多个沟道层，多个绝缘层和多个沟道层在衬底上在基本上垂直于衬底的主表面的竖直方向上交替地堆叠，其中，第一单元阵列至第三单元阵列在平行于衬底的主表面并且与竖直方向交叉
4、根据本专利技术构思的实施例，一种三维非易失性存储器装置包括：第一单元阵列、第二单元阵列和第三单元阵列，第一单元阵列、第二单元阵列和第三单元阵列中的每一个包括多个绝缘层和多个沟道层，多个绝缘层和多个沟道层在衬底上在基本上垂直于衬底的主表面的竖直方向上交替地堆叠，其中，第一单元阵列至第三单元阵列在平行于衬底的主表面并且与竖直方向交叉的第一水平方向上彼此间隔开；竖直字线结构，其在竖直方向上穿过多个沟道层中的一些并且连接到多个沟道层；扩散停止层，其共形地形成在位于第一单元阵列和第二单元阵列之间的第一沟槽中，其中，第一沟槽在竖直方向上穿过多个绝缘层和多个沟道层；第一狭缝绝缘层，其在扩散停止层上填充第一沟槽；以及第一晶体半导体图案，其设置在多个沟道层中的每一个与扩散停止层之间，其中，第一晶体半导体图案包括第一金属元素，其中，多个沟道层各自包括第二金属元素，第一金属元素和第二金属元素是相同的元素，并且第一晶体半导体图案中的第一金属元素的浓度高于多个沟道层中的第二金属元素的浓度。
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1.一种三维非易失性存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述第一金属元素和所述第二金属元素是相同的元素。
3.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述第一金属元素和所述第二金属元素各自包括镍和钯中的一种。
4.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述多个沟道层中的每一个在所述第一水平方向上的宽度大于所述晶体半导体图案在所述第一水平方向上的宽度。
5.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述晶体半导体图案包括：
6.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述晶体半导体图案是在(111)晶向上的单晶图案。
7.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器装置，还包括在所述竖直方向上穿过所述多个沟道层中的至少一些并且连接到所述多个沟道层的竖直字线结构。
8.一种三维非易失性存储器装置，包括：
9.根据权利要求8所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述第一晶体半导体图案在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上
10.根据权利要求8所述的三维非易失性存储器装置，还包括在所述第二单元阵列和所述第三单元阵列之间填充第二沟槽的第二狭缝绝缘层，其中，所述第二沟槽在所述竖直方向上穿过所述多个绝缘层和所述多个沟道层。
11.根据权利要求10所述的三维非易失性存储器装置，还包括设置在所述多个沟道层中的每一个与所述第二狭缝绝缘层之间的第二晶体半导体图案，其中，所述第二晶体半导体图案包括第三金属元素。
12.根据权利要求11所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述第一晶体半导体图案和所述第二晶体半导体图案各自为在(111)晶向上的单晶图案。
13.根据权利要求11所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述第二晶体半导体图案中的所述第三金属元素的浓度低于所述第一晶体半导体图案中的所述第二金属元素的浓度。
14.根据权利要求11所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述第二晶体半导体图案中的所述第三金属元素的浓度高于所述多个沟道层中的所述第一金属元素的浓度。
15.根据权利要求11所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述第一金属元素、所述第二金属元素和所述第三金属元素是相同的元素，并且所述第一金属元素、所述第二金属元素和所述第三金属元素中的每一个包括镍和钯中的一种。
16.根据权利要求8所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述第一晶体半导体图案包括：
17.根据权利要求8所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述多个沟道层中的每一个在所述第一水平方向上的宽度大于所述第一晶体半导体图案在所述第一水平方向上的宽度。
18.根据权利要求8所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述第一单元阵列包括与所述多个沟道层竖直地重叠的第一位线焊盘，
19.一种三维非易失性存储器装置，包括：
20.根据权利要求19所述的三维非易失性存储器装置，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种三维非易失性存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述第一金属元素和所述第二金属元素是相同的元素。
3.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述第一金属元素和所述第二金属元素各自包括镍和钯中的一种。
4.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述多个沟道层中的每一个在所述第一水平方向上的宽度大于所述晶体半导体图案在所述第一水平方向上的宽度。
5.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述晶体半导体图案包括：
6.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述晶体半导体图案是在(111)晶向上的单晶图案。
7.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器装置，还包括在所述竖直方向上穿过所述多个沟道层中的至少一些并且连接到所述多个沟道层的竖直字线结构。
8.一种三维非易失性存储器装置，包括：
9.根据权利要求8所述的三维非易失性存储器装置，其中，所述第一晶体半导体图案在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上的宽度大于所述第一狭缝绝缘层在所述第一水平方向上的宽度。
10.根据权利要求8所述的三维非易失性存储器装置，还包括在所述第二单元阵列和所述第三单元阵列之间填充第二沟槽的第二狭缝绝缘层，其中，所述第二沟槽在所述竖直方向上穿过所述多个绝缘层和所述多个沟道层。
11.根据权利要求10所述的三维非易失性存储器装置，还包括设置在所述多个沟道层...
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