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本技术提供了一种真空卡盘及一种晶圆键合设备。所述真空卡盘包括基座层及吸附层。所述基座层的底部设有抽气口，并连接射频端，用于向所述真空卡盘的吸附层上承载的多个晶粒提供激发等离子体的射频电场。所述吸附层设于所述基座层之上，并与所述基座层之间构成...
该专利属于拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司授权不得商用。

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